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半导体材料术语的常见一些术语

14-1-1本章涉及的一些"半导体材料术语"(GB/T 14264 - 1993)
术语 定义
半导体 电阻率介于导体与绝缘体之间,其范围为10-3~10-1°!-cm的一种固体物质。在较宽的温 度范围内,电阻率随温度的升高而减小。电流是由带正电的空穴和带负电的电子的定向传 输实现的。半导体按其结构可分为三类:单晶体、多晶体和非晶体
元素半导体 由一种元素组成的半导体。硅和锗是***常用的元素半导体
化合物半导体 由两种或两种以上的元素化合而成的半导体,如碑化镓、镓铝碑等
导电类型 半导体材料中多数载流子的性质所决定的导电特性
0-型半导体 多数载流子为电子的半导体
P-型半导体 多数载流子为空穴的半导体
空穴 半导体价带结构中一种流动空位,其作用就像一个具有正有效质量的正电子电荷一样
载流子 固体中一种能传输电荷的载体,又称荷电载流子。例如,半导体中导电空穴和导电电子
载流子浓度 单位体积的载流子数目。在室温无补偿存在的情况下为电离杂质的浓度。空穴浓度的符 号为p,电子浓度的符号为n
多数载流子 大于载流子总浓度一半的那类载流子。例如,p型半导体中的空穴
少数载流子 小于载流子总浓度一半的那类载流子。例如,p型半导体中的电子
电阻率允许偏差 晶片中心或晶锭断面中心的电阻率与标称电阻率的***大允许差值,它可以用标称值的百分 数来表示
径向电阻率变化 晶片中心点与偏离晶片中心的某一点或若干对称分布的设定点(典型设定点是晶片半径的 1/2处或靠近晶片边缘处)的电阻率之间的差值。这种电阻率的差值可以表示为中心值的 百分数。又称径向电阻率梯度
迁移率 载流子在单位电场强度作用下的平均漂移速度。在单一载流子体系中,载流子迁移率与特 定条件下测定的霍尔迁移率成正比。迁移率的符号为"单位为cm2/(Vs)
续表
术语 定义
少数载流子寿命 又称体寿命。晶体中非平衡载流子由产生到复合存在的平均时间间隔,它等于非平衡少数 载流子浓度衰减到起始值的1/#(#=2.718)所需的时间
取向偏离 晶片表面法线与晶体结晶方向偏离的一定角度
主参考面 指规范化圆形晶片上长度***长的参考面,其取向通常是特定的晶体方向。也称***参考面
副参考面 指规范化圆形晶片上长度小于主参考面的平面。它相对于主参考面的位置标记该晶片的 导电类型和取向。又称第二参考面
晶锭 一种棒状半导体,通常其直径是不均匀的或为原生态的多晶体或单晶体
单晶 不含大角晶界或挛晶界的晶体
多晶半导体 由大量结晶学方向不相同的单晶体组成的半导体
无位错单晶 位错密度小于500cm"2的单晶
衬底 用于外延沉积、扩散、离子注入等后续工艺操作的基体单晶片
化学气相沉积 通过化学反应制备一种表面薄膜状产品的工艺。外延生长是化学气相沉积的一种特例
气相外延 在气相状态下,将半导体材料沉积在衬底上,使其延着衬底的结晶轴方向生长出一层单晶 薄膜的工艺
液相外延 把半导体材料溶解在溶剂中,使其形成饱和溶液,然后把此饱和溶液覆盖在单晶衬底上,降 低温度,在衬底上沿衬底结晶轴方向生长出新的半导体单晶薄层的工艺
分子束外延 在超高真空下,使衬底保持在适当高温,把一束或多束分子连续沉积到衬底表面而得到超 薄单晶层的工艺
掺杂 把半导体材料的非本体元素、合金或化合物痕量掺入半导体中,获得预定的电学特性的过 程
中子嬗掺杂(NTD) 用中子流幅照硅单晶锭,使晶体中的Si30嬗变成磷原子而使硅单晶掺杂。NTD单晶的特性 是掺杂杂质在晶体纵向和径向分布特别均匀
直拉法 沿着垂直方向从熔体中拉制单晶体的方法。又称切克劳斯基法
悬浮区熔法 将晶锭垂直固定,在下端放入籽晶,利用熔体的表面张力,在籽晶上方建立熔区,然后以一 定的速度垂直向上进行区熔,将晶锭提纯制成单晶的方法
水平法 沿着水平方向生长单晶体的一种方法
正面
背面
制造有源器件的晶体表面称为正面;与晶片正面相对的面则称之为背面
晶片 从晶锭切割下的片状晶块。在改变原生晶片晶体结构的后续工艺前进行整形与抛光。晶 片通常有:切割片、研磨片、腐蚀片和抛光片
晶片厚度 晶片中心点垂直于表面方向穿过晶片的距离
崩边 晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域,当崩边在晶片边缘产生时,其尺寸由径向深 度和周边弦长给出
缺口 上下贯穿晶片边缘的缺损
刀痕 晶锭切割时,在晶片表面留下的圆弧状痕迹
 




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