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低阻导电型单晶的导电类型、掺杂剂、 载流子浓度和迁移率

14-6-6 100)晶面圆形片及其参考面长度和晶片面积
 
 
晶片直径D/mm 主参考面长度"1/mm 副参考面长度
B* /mm,!
晶片面积/cm2
(参考值)
直径 偏差 长度 偏差
40 ±1 13 ) 1 8 12.5
50 ±1 16 ) 1 9 19.6
 
 
第二节水平法碑化镓单晶及切割片
(GB/T 11094 ― 1989)
以水平法制备的神化镓单晶及其切割片,供制作光电器件、微波器件和传感元件等元器件 用。产品按导电类型分为5型和p型,按电阻率分为低阻导电型和高阻半绝缘型。以掺杂剂、 载流子浓度和迁移率分类,按位错密度分级。

14-6-7低阻导电型单晶的导电类型、掺杂剂、
载流子浓度、迁移率、位错密度和规格尺寸
导电类型 掺杂剂 载流子浓度/
(个/cm3
迁移率/
cm2/V,s
位错密度/
(个/cm2 ), !
晶锭宽度
/ mm
晶锭长度
/mm,"
n Si 1x1018-5x1018 1300 〜2500 100
500
30 〜80 40
8 x 1017 ~ 5 x 1018 1300 〜2600 30 〜47
8 x 1017 ~ 5 x 1018 1300 〜2600 *000 30 〜47
Te 1x1018~5x1018 2000 - 3000
P Zn 1x1018-1x 1020 40 〜150
n Si Ixl017 〜2x 1018 2000 〜3500 5x 103 30 〜56 或
30 〜66
8 x 1017 ~ 5 x 1018 1300 〜2600
1x1018〜5x1018 1300-2500
Te 1x1017 〜2x 1018 2500 〜3800 1 x 104
5x1017 〜2x 1018 2500 〜3200
1x1018〜5x1018 2000 - 3000
4x1015 〜1x 1016 "4500 * x 104
5x1014 〜4x 1015 "5000
P Zn 1x1017 〜4x 1018 100 〜280 5x 104
5x1018〜1x 1020 40-100
 
 
14-6-8高阻单晶的掺杂剂、电阻率、位错密度、晶锭宽度和长度
掺杂剂 电阻率/( !・cm) 位错密度/
(个/cm2 ), !
晶锭宽度/mm 晶锭长度
/mm,"
Cr 或 Cr; 0 1 x 106 〜9 x 108 5x 103 30 〜38 40
1 x 106 〜9 x 108 1x104 30 〜47
1 x 106 〜9 x 108 2x 104 30 〜56
1 x 106 〜9 x 108 5x 104 30 〜66
 
注:对热稳定性有要求的高阻砷化镓单晶,其退火条件及热稳定性能由供需双方商定。
 
14-6-9水平法神化镓单晶的级别、等次和位错密度
级别 1 2 3
等次   II III %   I III  
位错密度/(个/cm2 ),! 100 500 *000 5000 1x104 * x 104 5x 104 1x105
 
注:①水平法碑化镓单晶以(110)晶带的近〈111〉或〈211〉、〈311〉和〈331〉等晶向生长。
② 单晶不得有气孔、裂纹和挛晶线。
③ 单晶截面为 >形。单晶的一端或两端应按所要求的晶面切出基面,该面应平整。



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