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硅外延片的导电类型、直径规格和硅单晶衬底的电阻率

14-8-1硅外延片的导电类型、直径规格和硅单晶衬底的电阻率
导电类型 掺杂元素 硅单晶直径/mm 电阻率/(!・cm), !
    W50.8 0.012
  Sb 76.2 0.015
    80、90、100 0.02
    W50.8 0.009
  As 76.2 0.01
    80、90、100 0.015
    W50.8 0.009
p B 76.2 0.01
    80、90、100 0.015
 
注:①硅单晶衬底的其他参数应符合GB/T 12962的规定。
②硅单晶抛光片衬底的晶向、几何尺寸等参数应符合GB/T 12964的规定。
 
14-8-2外延层电阻率
外延层中心电阻率及其允许偏差 外延层径向电阻率变化
中心电阻率/( !・cm) 允许偏差/% 中心电阻率/(!・cm) 径向电阻率变化!"/%
    !3 !10
0 5 ; 3 土 18 >3 !15
     
>3〜10 ±20 1 pj- - !$ 1
表示% ) = ―2 @ 100
 
>10-20 ±25    
> 20 ; 50 ± 30 式中-!$ 1 ——平行和垂直于主参考面二条直径的#/2处(#
>50-100 ± 35 为半径)四个电阻率测量值 p中与!值之差的***大值;
    —— 中心处的电阻率测量值
 
注:n型外延层掺杂元素为磷,p型外延层掺杂元素为硼。

14-8-3外延层厚度和允许偏差及径向厚度变化
中心厚度m 厚度允许偏差/( 径向厚度变化TV/%
5*50 土 10 !6
1 n - T$ 1
表中 TV( ( ) = —°T——X 100
式中:丨T丄-T$丨 平行和垂直于主参考面二条直径的#/2处(#为半径)四个厚度测量值T工中与
2 $ 2
T$值之差的***大值;
T$ ——中心处厚度测量值。
 
 
 
注:外延层缺陷中位错密度不大于3000cm-2,堆垛层错密度不大于50cm-2


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