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硅单晶的直径及其允许偏差

14-9-3硅单晶的直径及其允许偏差 (单位:rnrn)
直拉硅单晶 标称直径 50.8 63.5 76.2 100 125 150
允许偏差 ±0.4 ±0.4 ±0.5 ±0.5 ±0.3 ±0.3
区熔硅单晶 直径 30 〜50 >50-100
允许偏差 ±2 ±3
 
注:标称直径是指硅单晶经过滚圆和化学腐蚀去除表面损伤层。未滚圆硅单晶的直径允许偏差由供需双方商定。
 
14-9-4直拉硅单晶的电学性能参数
导电类型 掺杂元素 直径范围/mm 电阻率范围
/( !,cm)
电阻率允许
偏差①/%
径向电阻率变化/% #
R" 6! - !1)/! R" 6! - !)/!
〈111〉 〈100〉 〈111〉 〈100〉
      0.005 -0.1 ±20 !6 !6 !8 !8
      >0.1-10 ±25 !6 !6 !8 !8
p B 50.8-150 >10-25 ±30 !6 !6 !8 !8
      >25-60 ±35 !8 !8 !12 !12
      0.03-1 ±40 !15 !9 !20 !12
n P 50.8-150 >1-40 ±40 !20 !12 !25 !15
    50.8 <0.015          
n :; 76.2 <0.020 !15 !20 !12
    100 < 0 . 025          
 
 
注:①所有电阻率范围的数值是在硅锭端面或硅片中心用四探针法测量数值。
②径向电阻率变化是在硅锭端面或硅片中心用四探针法测量数值
°1 ——中心点处,电阻率两次读数的平均值。
——R/2处,90。间隔电阻率4点读数的平均值。
p3 距边缘6mm处,90。间隔电阻率4点读数的平均值。
14-9-5区熔硅单晶的电学性能参数
导电类型 掺杂元素 直径范围/(mm) 电阻率范围
/( !*cm)
电阻率允许 偏差①/% 径向电阻率变化/ %② 少数载流
子寿命
〈111〉 〈100〉
P B 40-65
> 65 - 80
> 80 - 100
30 - 300 ±15 !10
!13
!15
!10
!13
!15
"200
P B 40-65
> 65 - 80
> 80 - 100
> 300 - 3000 ± 30 !15
!18
!20
!15
!18
!20
"400
 

续表
导电类型 掺杂元素 直径范围/(mm) 电阻率范围
/( !*cm)
电阻率允许 偏差①/% 径向电阻率变化/%② 少数载流 子寿命(
〈111〉 〈100〉
n P 40〜65
>65〜80
>80-100
10-150 ±20 !17
W25
W28
!15
!18
W23
"200
n P 40〜65
>65-80
>80-100
> 150 〜800 ±30 W22
W30
W33
!18
!18
W22
"500
 
注:①所有电阻率数值为用二探针法测量硅锭纵向的电阻率数值或用四探针法测量硅锭端面或硅片中心的电阻率数 值。
②四探针法按GB 11073的C方案测量和计算,公式为:!"="典: -"血)/缶谊。"與:为其中***大值,"血为其中***小 值。当直径!50.8mm时,按GB 11073的B方案测量和计算。


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