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硅抛光片几何尺寸参数与硅抛光片表面质量要求

14-10-5硅抛光片几何尺寸参数
硅片直径 直径允许 偏差 硅片厚度 厚度允许偏差 总厚度变化 翘曲度 平整度
(TIR)
主参考
面长度
副参考
面长度
崩边
mm mm ^m gm gm,! gm,! gm,! mm mm mm, !
50.8 ±0.4 280 ±20 8 25 5 16±2 8±2 0.3
76.2 ±0.5 381 ±20 10 30 6 22.5±2.5 11.5±1.5 0.3
100 ±0.5 525 ±20 10 40 6 32.5±2.5 18±2 0.3
125 ±0.3 625 ± 15 10 40 5 42.5±2.5 27.5±2.5 0.3
150 ±0.3 675 ± 15 10 50 5 57.5±2.5 37.5±2.5 0.3
 
导电类型 表面取向 主参考面 副参考面
P {111} {110}±10"
n {111} {110} ±1° 与主参考面成45° ± 5°
P {100} {110} ±1° 与主参考面成90° ± 5°
n {100} {110} ± 1° 与主参考面成
180。±5。( !妇25mm硅片)
135。±5。(妇50mm 硅片)
 
 
"对于(111)硅片,等效于{110}面的有(110)、(011)、(101)晶面。
对于(100)硅片,等效于{110}面的有(011)、(011)、(011)、(011)晶面。

14-10-7硅抛光片表面质量要求
硅 抛 光 片 正 面 序号
1
2
3
项目
划道 蚀坑
***大缺陷限度


硅 抛 光 片 正 面 序号 项目 ***大缺陷限度
10 小丘
11 桔皮
12 刀痕
4 硅片直径/mm 50.8 76.2 100 125 150 13 杂质条纹
微粒沾污/(个/片)
(二次清洗)
4 6 10 10 15 14 氧化层错 供需双方协商
硅 抛 光 片 背 面 15 崩边
5 区域沾污 16 裂纹
6 崩边 17 区域沾污
7 裂纹 18 刀痕
8 凹坑 19 背面处理 酸或碱腐蚀,特殊要求供需双方商定
9 沟(槽)      
 
 
注:①电阻率不大于0.020"-cm的硅抛光片,允许有杂质条纹。
②微粒大于0.5“m的计数。

半导体键合铝-1%
第^一章硅细丝与半导体
器件键合金丝
***节 半导体键合铝-1%硅细丝
(GB/T 8646 - 1998)
拉制的圆形Al-1%Si合金细丝用于半导体键合用。


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